●  在海外设立研发中心，布局高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件开发

视频来源:株洲电视新闻综合频道《株洲新闻联播》

    株洲新闻网5月25日讯（记者孙娟 通讯员刘亚鹏）今日，中国南车大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链企业，填补了国内相关技术领域的空白，将实现中国南车“十二五”期间打造全球大功率半导体器件前三强目标。

    IGBT（新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管）是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，是节能技术和低碳经济的主要支撑，被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商，为支持我国企业技术突围，IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。相关研究机构指出，“在IGBT这个以技术为门槛的行业中，谁掌握了技术，谁就掌握了市场”。

中国南车株洲所执行董事、总经理丁荣军介绍，该基地建成后将改变依赖进口、受制于人的被动局面，提升我国重大装备的核心技术能力

   该项目由中国南车株洲所具体实施，占地160亩，投资14亿元，预计2014年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过20亿元，其产业规模和技术实力均超过国内已有水平，达到国际领先水平（目前世界主流IGBT芯片生产线为6英寸）。届时，中国南车将完全自主实现电力电子器件技术及产业跨越式发展，跻身世界大功率IGBT器件技术及产业化一流梯队。

    据介绍，中国南车大功率IGBT产业化基地除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求，成为我国首个完全依靠自主能力建设的、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地，改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面。

株洲市委副书记、市长王群希望南车株洲所借建设大功率半导体IGBT产业化基地的契机，提升核心技术研发创新能力，为株洲市新型工业化做出新贡献

   同时，作为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业，南车株洲所的技术研发、产品设计、制造与销售都将面向全球布局。2010年，中国南车在海外成立功率半导体研发中心，负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和开发，专门从事高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件开发，支撑并引领公司大功率半导体器件产业的可持续发展，缩短与国际最先进水平的差距。